Inhalt | Vorheriges Kapitel | Nächstes Kapitel |
Die Entwicklung der integrierten TTL-Bausteine begann mit der Standard-TTL-Technologie Anfang der sechziger Jahre. Insbesondere die Firma Texas Instruments hat lange Zeit die Fortschritte bestimmt und auch z.T. die noch heute benutzten Bezeichnungen geprägt.
Bauteile der Standard-TTL-Reihe bekamen
den Prefix 74'. Das erste so realisierte Bauteil war ein integrierter
Schaltkreis, der vier Zweifach-Nand-Gatter vereinigt, und die
Bezeichnung 7400 trägt.
Abb. 9.34: Standard-TTL-Gatter 7400 (2-fach NAND). |
9.3.1 Entwicklung der TTL-Familien
Ausgehend von der Standard-TTL-Baureihe
wurde die Entwicklung weiterer verbesserter TTL-Familien möglich.
Tab. 9.2 gibt einen Überblick über diesen Prozeß,
der auch heute noch nicht als abgeschlossen gelten kann.
Da die Funktion eines TTL-Gatters
stark von der Temperatur abhängt, wurde außerdem eine
Gruppierung nach Temperaturbereichen vorgenommen. Die mit dem
Prefix 74' versehene Reihe wurde durch zwei weitere Baureihen
ergänzt, die einen erweiterten Temperaturbereich aufweisen
(Tab. 9.3).
Standard-TTL | 74xx | |
Low-Power | 74Lxx | |
High-Power | 74Hxx | |
Schottky | 74Sxx | |
Low-Power-Schottky | 74LSxx | |
Fast | 74Fxx | |
Advanced Low-Power-Schottky | 74ALSxx | |
Advanced Schottky | 74ASxx |
Tab. 9.2: Entwicklung der TTL-Familien.
(Standard) | |
(militärisch) | |
Tab. 9.3: Temperaturbereich und Prefix unterschiedlicher TTL-Familien.
[nsec] | [mW] | ||
Low Power TTL | L | 33 | 1 |
Standard TTL | - | 10 | 10 |
Low Power Schottky | LS | 9 | 2 |
High Power | H | 6 | 22,5 |
Advanced Low Power Schottky | ALS | 4 | 1 |
Schottky | S | 3 | 20 |
Fast Schottky | F | 2 | 4 |
Advanced Schottky | AS | 1,5 | 22 |
Tab 9.4: Gatterlaufzeiten und Verlustleistungen
[mA] | [µA] | ||
Low Power TTL | -0,18 | ||
Standard TTL | -1,6 | ||
Low Power Schottky | -0,4 | ||
High Power | -2,0 | ||
Advanced Low Power Schottky | -0,2 | ||
Schottky | -2,0 | ||
Fast Schottky | -1,2 | ||
Advanced Schottky | -1,0 |
Tab. 9.5: Eingangsströme und Fan Out.
Integrationsdichte | pro Baustein | ||
Diskreter Transistor | |||
Small Scale Integration | |||
Medium Scale Integration | |||
Large Scale Integration | |||
Very Large Scale Integration | |||
Ultra Large Scale Integration | |||
Super Large Scale Integration | |||
Extra Large Scale Integration | |||
Giga Scale Integration |
Tab. 9.6: Entwicklung der Dichte von integrierten Schaltkreisen.
Inhalt | Vorheriges Kapitel | Nächstes Kapitel |